Направления исследований

Направления исследований

Многофункциональные фотонные интегральные схемы (читать далее)

Радиоэлектронные устройства и системы на базе методов и средств радиофотоники (читать далее)

Компонентная база и аппаратура линейного тракта сверхскоростных цифровых и сверхширокополосных аналоговых волоконно-оптических систем (читать далее)

Аппаратура и телекоммуникационные системы волоконно-эфирной структуры (системы класса Radio-over-Fiber (RoF)) (читать далее)

Терагерцевая фотоника (читать далее)

 

 

 

1. Многофункциональные монолитные интегральные схемы миллиметрового диапазона волн.

Современное развитие монолитных интегральных схем (МИС) для приемо-передающих устройств радиосистем телекоммуникационного и радиолокационного назначений характеризуется освоением диапазона крайне высоких частот (КВЧ, 30-300 ГГц) и, так называемого, терагерцевого диапазона (0,1-10 ТГц). Ключевым узлом линейного тракта этих устройств, во многом определяющим их общие технико-экономические показатели, является узел преобразователя частоты (ПЧ), принципиальными структурными элементами которого являются, как известно, смеситель и гетеродин. В связи с этим исследованиям теоретических и практических аспектов их функционирования, а также схем построения посвящено большое число публикаций в периодической и книжной научной литературе.

Тем не менее, переход даже в КВЧ диапазон поставил перед разработчиками радиоэлектронной аппаратуры новые задачи, требующие компромиссных подходов. В частности:

  • повышение рабочего диапазона частот;
  • повышение степени интегрирования (многофункциональность) СВЧ МИС на основе арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов (ГПТ);
  • снижение мощности потребления;
  • увеличение уровней развязки входов и выходов;
  • улучшение технико-экономических показателей.

Одним из наиболее перспективных путей решения вышеуказанных задач на современном этапе считается использование в ПЧ, так называемого,резистивного (т.е. с нулевым потреблением) смесителя с субгармонической накачкой (sub-harmonicpumpedmixer) (СГН), в котором для смешения входного и гетеродинного сигналов используется частота, в четное число раз выше частоты сигнала внешнего гетеродина [1]. Данная частота, в отличие от традиционных СВЧ смесителей на гармониках, формируется за счет соответственного увеличения числа параллельно включенных активных элементов, которые управляются соответствующим образом сдвинутыми по фазе гетеродинными сигналами. В таком ПЧ в качестве гетеродина обычно используется СВЧ генератор, частота которого в соответствующее число раз меньше частоты гетеродина традиционного смесителя, что улучшает его технико-экономические показатели.

Основные достоинства резистивных смесителей на основе технологии ГПТ, как известно [2], состоят в лучшей линейности по сравнению с традиционными смесителями на основе диодов с барьером Шоттки (ДБШ), практически нулевом токе потребления, отсутствии дробовых шумов (т.е. коэффициент шума смесителя равен его потерям преобразования), близких к смесителям на ДБШ потерям преобразования, увеличении развязки входов и выходов по сравнению с активным вариантом. Кроме того, применение резистивного смесителя КВЧ диапазона на основе СГН [3] дополнительно позволяет использовать гетеродин с лучшими технико-экономическими показателями (большей мощностью, меньшими шумами), одновременно реализовать схемы как повышающего, так и понижающего ПЧ, а также за счет значительно более низкой полосы частот гетеродина и отсутствия его нечетных гармоник обеспечить еще более высокие требования по развязке всех портов.

Данные преимущества позволили, в частности, реализовать приемный тюнер на основе многофункциональной МИС с рекордно высокой рабочей частотой 220 ГГц [4].
  1. Белкин М. Е., Белкин Л. М. Особенности построения резистивных смесителей диапазона крайне высоких частот. Электронная техника. Сер 2. Полупроводниковые приборы, 2010,  вып. 1(224), с. 98-104.
  2. Maas S.A. Nonlinear Microwave and RF Circuits. – Artech House, 2003. –582pp.
  3. Maas S.A. Microwave Mixers. – Artech House, 1993. – 375 pp.
  4. Gunnarsson S.E., et.al. A 220 GHz single-chip receiver MMIC with integrated antenna. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2008, v. 18, No 4, p. 284-286.

2. Оптоэлектронные и оптические интегральные схемы повышенной степени интеграции.

Интегрально-оптическая технология практически с самого зарождения волоконно-оптической связи считалась перспективным путем построения приемо-передающей аппаратуры [1]. Однако из-за недостаточной развитости технологической базы и моделирующего функционирование элементов микросхем программного обеспечения (ПО) в прошлом столетии она так и не получила широкого распространения. Значительный прорыв в развитии оптических и оптоэлектронных интегральных схем (ОИС и ОЭИС) был создан только в начале 21 века, когда в ответ на потребность общества в увеличении пропускной способности телекоммуникационных систем появились новые функциональные элементы микросхем на основе фотоннокристаллических (ФК) структур, промышленное технологическое оборудование, обеспечивающее точность их изготовления на уровне 10 нм, и программные продукты, обеспечивающие их корректное моделирование.

Проектирование современных элементов и устройств интегральной оптики требует использования сложных численных алгоритмов и соответствующего ПО, способного обеспечить достаточно быстрое и корректное решение поставленной задачи с помощьюIBM-совместимого персонального компьютера. Основная проблема заключается в необходимости перехода от стандартных и хорошо изученных одномерных моделей (1D) к двумерным (2D) и трехмерным (3D), характеризующимся средствами электромагнитного анализа по уравнениям Максвелла.

По определению в состав ОИС входят пассивные интегрально-оптические функциональные элементы: волноводы различной конфигурации, ответвители, разветвители, переключатели, модуляторы, резонаторы. В качестве подложки для ОИС телекоммуникационного применения используется кварц (SiO2). На этой подложке формируются диэлектрические светопроводящие слои, которые для обеспечения оптического ограничения выполняются из кремния. Традиционной основой всех функциональных элементов является интегрально-оптический волновод [2], реализуемый в настоящее время на базе сочетания канально-волноводных и фотоннокристаллических структур (КВС и ФКС).

В состав ОЭИС по определению [3] помимо рассмотренных выше пассивных оптических элементов, традиционных для микроэлектроники пассивных электронных элементов входят активные компоненты и основанные на них оптоэлектронные и электронные функциональные элементы  (лазеры, фотодиоды, полевые и биполярные транзисторы, генераторы, усилители, преобразователи частоты и т.д.). Исходя из обширного опыта разработки изделий микроэлектроники, наиболее перспективный путь развития ОЭИС с точки зрения оптимальных технико-экономических характеристик связан с монолитным исполнением. Однако на пути практической реализации монолитных микросхем имеются серьезные физико-технологические проблемы [4], такие как:

  • Несовместимость материалов подложек, поскольку применяемые в телекоммуникационных ВОСП лазерные и фотодетекторные структуры принципиально формируются на подложках изInP, структуры полевых транзисторов – на кремниевых подложках в радиочастотном диапазоне и на подложках из арсенида галлия, нитрида галлия и фосфида индия в СВЧ диапазоне, описанные выше ОИС – на кварцевых подложках.
  • Несовместимость типов подложек, поскольку лазерные и фотодиодные структуры обычно выращиваются на проводящих полупроводниковых подложках, полевые транзисторы – на полуизолирующих полупроводниковых подложках, а пассивные ОИС – на диэлектрических подложках.
  • Трудность оптимальной миниатюризации функциональных элементов ОИС [5] по сравнению, например, с СВЧ МИС. В частности, у современного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) характерная длина затвора составляет 50-100 нм, в то время как длина простого пассивного оптического узла, например, сумматора длин волн (спектрального мультиплексора), даже реализованного на основе ФКС, составляет единицы мкм.

Отмеченные выше проблемы дают основание прогнозировать, что при современном уровне технологии более реалистичным подходом к построению приемо-передающей аппаратуры ВОСП является широкое использование оптоэлектронных гибридных интегральных схем (ОЭГИС).

Микромодули на основе ОЭГИС с малой степенью интеграции в настоящее время достаточно широко применяются в аппаратуре ВОСП. Как правило, с их помощью реализуется передающий либо приемный оптоэлектронный модуль, содержащий пассивный узел оптического ввода/вывода на базе волоконного световода и дискретных элементов связи (например, микролинз, ответвителя, изолятора и т.д.), активный элемент (лазер, фотодетектор) и соединенный с ним по стандартной технологии ГИС электрический узел (драйвер, предварительный усилитель). Интегрально-оптические волноводы практически не применяются в связи с существенно большим уровнем потерь на ввод/вывод и распространение по сравнению с волоконным световодом. Однако интенсивное развитие техники многоволновых ВОСП с СРК вызвало потребность повышения степени интеграции существующих ГИС, в результате чего были разработано второе поколение ОЭГИС, получившее название «планарные оптические схемы» (PlanarLightwaveCircuits,PLC) [6].

Общий принцип построения ОЭГИС на основеPLC достаточно прост. А именно, ее конструкция содержит три основных секции: электронную, оптоэлектронную и оптическую. Первая строится на базе монолитных либо гибридных ИС, вторая – на интегральных оптико-электрических либо электрооптических преобразователях, третья – на основе пассивных ОИС, и наиболее перспективным в ней считается использование ФСК. К основным достоинствам микросхем данного типа с точки зрения применения в современных ВОСП относятся: возможность высокой степени интеграции, долговременная стабильность характеристик передачи, экономичность и технологичность  массового производства. Очевидным недостатком рассмотренных выше форм структурного интегрирования является увеличение искажений характеристик передачи сигналов. Обобщение результатов их исследования вместе с классификацией основных функциональных элементов ОИС и ОЭИС представлены в табл. 1.

Таблица 1. Функциональные элементы современных ОИС и ОЭИС

Наименование Тип цепи (эффект) Конфигурация Реализация Источники искажения
Направленный ответвитель Пассив-ный X, Y ФКС,КВС Потери передачи, неточность ответвления, недостаточная развязка
Модулятор, переключатель Пассив-ный, электро-оптичес-кий Интерферо-метр Маха-Цандера ФКС, КВС Оптические потери и нелинейность, потери и ограниченность полосы модуляции, ограниченная скорость переключения
Многовходовый разветвитель, коммутатор Пассив-ный N:1 либо 1:N (N –число входов/выходов), волноводная решетка ФКС, КВС Потери передачи, недостаточная развязка, температурная зависимость
Лазерный излучатель (бескорпусной модуль) Актив-ный Многослойная наногетеро-структура Планарно-эпитаксиаль-ная структура Шумы интенсивности и вследствие перескока мод, ограничение полосы модуляции, нелинейность, потери на электрическое рассогласование, температурная зависимость выходной мощности и длины волны
Фотодетектор (бескорпусной фотодиодный модуль) Актив-ный Многослойная наногетеро-структура Планарно-эпитаксиаль-ная структура Оптическое отражение, ограничение полосы пропускания, нелинейность, потери на электрическое рассогласование
Транзистор-ные узлы (лазерные драйверы, малошумящие усилители и т.д.) Актив-ный Многослойная полупровод-никовая структура (гомо-, гете-ро-) Планарно-эпитаксиаль-ная структура Ограничение усиления и полосы пропускания, нелинейность, тепловые шумы, температурная зависимость

 

  1. Островски Д. О перспективах интегральной оптики. / В кн. Фотоника – Под ред. Балкански М., Лалемана П./ Пер. с англ. под ред. М.И. Элинсона. – М.: Мир, 1978, с. 296-319.
    Свечников Г. С. Интегральная оптика. – Киев: Наук. думка, 1988. -166 с.
  2. Jamroz W.R., Kruzelecky R., Haddad E.I. Applied Microphotonics – N.Y.: CRC Press. 2006. – pp. 403.
  3. Welch D.F., e.a. The Realization of Large-Scale Photonic Integrated Circuits and the Associated Impact on Fiber-Optic Communication Systems. IEEE Journal of Lightwave Technology, 2006, v. 24, No 12, p. 4674-4683.
  4. Thylen, e.a. The Moore’s Law for photonic integrated circuits. Journal of Zhejiang University Science A, 2006, No 7 (12), p. 1961-1967.
  5. Himeno A., Kato K., Miya T. Silica-based planar lightwave circuits. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 1998, v. 4, No 6, p. 913-924.
3. Устройства СВЧ диапазона на базе методов и средств сверхвысокочастотной оптоэлектроники.Относительно новое междисциплинарное направление, названное в отечественной литературе сверхвысокочастотной электроникой (СОЭ) [1], занимается исследованием и разработкой сверхбыстродействующих активных оптоэлектронных приборов и устройств с полосой пропускания в СВЧ диапазоне, а также активных СВЧ приборов и устройств с оптическим управлением. Возникшая наряду с оптоэлектроникой в конце прошлого столетия,  она продолжает развиваться в наши дни в направлении слияния с микро- и наноэлектроникой, результат которого состоит в создании оптоэлектронных интегральных схем.

Исследования в области сверхвысокочастотной оптоэлектроники  на системном уровне, главным образом, связаны с развитием и оптимизацией следующих существующих и перспективных классов систем передачи информации:

  • магистральных и локальных цифровых волоконно-оптических систем связи со скоростями в гигабитном и терабитном диапазонах;
  • многоканальных аналоговых ВОСП с поднесущими в СВЧ диапазоне для распределения сигналов спутникового и кабельного телевидения и радиолокационных применений;
  • многоволновых аналоговых и цифровых ВОСП с плотным спектральным разделением (DWDM);
  • комбинированных волоконно-эфирных систем (системы классаRadio-over-Fiber (RoF)) для сетей сотовой и персональной радиосвязи, беспроводных сетей абонентского доступа и локационных применений;
  • сверхширокополосных систем радиолокации и радиосвязи (UWB).

С позиций СОЭ оптоэлектронные приборы и строящиеся на их основе функциональные элементы и устройства можно разделить на пять типов. Их классификация представлена на рис. 1.

napravleniya-issledovaniy-ris1

Рис. 1. Классификация приборов и устройств с позиций СОЭ

Как видно из рисунка, приборы и элементы с прямым взаимодействием СВЧ и оптического излучений включают:

  • оптико-электрический преобразователь (рис. 1, а), например, фотодиод;
  • электрооптический преобразователь (рис. 1, б), например, полупроводниковый лазер;
  • датчик СВЧ сигнала с оптическим управлением (рис. 1, в), например, СВЧ генератор, параметры которого (частота, выходная мощность) изменяются под воздействием оптического сигнала;
  • преобразователь оптического сигнала (рис. 1, г), например, оптический модулятор, лазерный усилитель;
  • преобразователь СВЧ сигнала (рис. 1, д), например, СВЧ усилитель, коэффициент усиления которого регулируется оптическим сигналом.

Дальнейшее развитие техники СОЭ привело к созданию новых СВЧ устройств вне вышеприведенной классификации, имеющих внутреннюю оптоэлектронную структуру. Среди них наиболее близким для практического применения является, так называемый, оптоэлектронный генератор СВЧ сигналов [2]. В данном устройстве за счет высокой добротности и стабильности кварцевого световода обеспечиваются гораздо более низкие фазовые шумы по сравнению с современными интегральными СВЧ генераторами. Другим важным преимуществом по сравнению с традиционными генераторами СВЧ колебаний является преодоление компромисса между полосой перестройки частоты генерации и уровнем частотных шумов [3]. Еще одним перспективным устройством СОЭ считается оптоэлектронный преобразователь частоты сигналов СВЧ диапазона (ОЭПЧ) [4, 5], в котором используется нелинейность передаточных характеристик лазера, оптического модулятора, фотодиода либо их сочетания.

Вышеперечисленные приборы и устройства СОЭ являются основой для построения принципиально новых устройств, применение которых, например, в системах классаRoF может существенно улучшить их технико-экономические характеристики.

  1. Белкин М. Е., Сигов А. С. Новое направление фотоники – сверхвысокочастотная оптоэлектроника. Радиотехника и электроника, 2009,  т. 54, № 8, с. 901–914.
  2. Белкин М. Е., Лопарев А. В. Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ оптоэлектроники. Электроника НТБ, 2010, № 6. с. 62-70.
  3. Белкин М. Е., Лопарев А. В. Исследование шумовых характеристик оптоэлектронного генератора СВЧ сигналов.Материалы IХ научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», Звенигород, 1-3 декабря 2010. – М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2010. –с. 62-65.
  4. Yao J. Microwave Photonics. IEEE/OSA Journal of Lightwave Technology, 2009, v. 27, No 3, p. 314-335.
  5. Белкин М.Е., Белкин Л.М. Исследование оптоэлектронного преобразователя частоты сигналов СВЧ диапазона. Материалы IХ научно-технической конференции«Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», Звенигород, 1-3 декабря 2010. – М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2010. – с. 68-72.
4. Аппаратура и телекоммуникационные системы волоконно-эфирной структуры (системы классаRadio-over-Fiber (RoF)).Современная мировая инфраструктура телекоммуникационных сетей представляет собой эклектический набор разнородных линий передачи на основе волоконных, коаксиальных и многопарных кабелей, а также наземных и спутниковых радиолиний. При этом глобальные транспортные сети большой протяженности, как правило, функционируют на базе волоконно-оптических либо спутниковых систем, локальные сети и сети абонентского доступа – на основе связанных через стандартные интерфейсы волоконно-оптических, радио и металлических проводных систем передачи. Таким образом, для обмена информацией между пользователями даже в пределах одного города приходится использовать значительное число различных по принципам построения, архитектуре, требованиям к достоверности передачи информации, частотным полосам систем, что существенно увеличивает стоимость услуги связи и ухудшает ее качество.

Понятно, что выход из сложившейся ситуации лежит в повышении однородности телекоммуникационного парка и оптимизации места применения каждого из вышеуказанных типов линий с учетом их преимуществ.

Волоконно-оптический кабель (ВОК) является самой широкополосной средой передачи информации. Быстро растущие потребности по увеличению объемов и сокращению сроков доставки услуг связи абонентам стимулировали исследования систем доставки информации непосредственно с помощью ВОК. Однако такие системы, например типа «волокно в дом», до сих пор не получили широкого развития в реальных сетях абонентского доступа, в основном из-за экономических проблем. В связи с этим были предложены альтернативные способы доставки информации с использованием на абонентском участке более экономичной среды передачи на основе радиосредств, которая одновременно обеспечивает такую важную общественную потребность, как постоянная доступность абонента для связи.

Для улучшения характеристик вышеописанных систем актуально создание простых интерфейсных устройств, обеспечивающих эффективное взаимодействие оптического излучения и СВЧ сигналов.

Обобщенная схема телекоммуникационной системы распределения волоконно-эфирной структуры [1] приведена на рис. 1.

napravleniya-issledovaniy-ris2

Рис. 1. Обобщенная структурная схема системы классаRoF

Как следует из рисунка, на центральной станции оптический передатчик модулируется на поднесущих СВЧ диапазона цифровыми информационными сигналами со скоростями 1…10 Гбит/с. Волоконно-оптические линии соединяют центральную и базовые станции. На базовой станции осуществляются оптико-электрическое преобразование и передача в эфир в пределах зоны радиусом от единиц до десятков метров. Сигналы принимаются и демодулируются абонентскими терминалами. Передача сигналов от абонента происходит в обратной последовательности.

Принципиальные достоинства данной системы заключаются в том, что благодаря распределенной структуре и работе в миллиметровом диапазоне радиоволн:

  • повышается пропускная способность канала;
  • уменьшаются взаимные помехи между базовыми станциями;
  • обеспечиваются высокие массогабаритные характеристики приемо-передающего оборудования и антенн;
  • повышается экономическая эффективность и уменьшается время развертывания по сравнению с проводными системами;
  • обеспечивается постоянная доступность для связи абонентов сети.

Прогнозируется, что основными областями применения системы типа RoF будут интерактивные локальные системы связи и распределения, например, системы сотовой связи будущих поколений, системы персональной связи, системы распределения мультигигабитной сети ETHERNET, Интернет-телевизионные системы по протоколам IPTV и др.

Из предыдущего рассмотрения следует, что аппаратура систем класса RoF должна функционировать в четырех частотных диапазонах: в полосах модулирующих, промежуточных, несущих частот радиочастотного диапазона (включая СВЧ и КВЧ диапазоны) и  в полосе оптического диапазона (точнее ближнего ИК диапазона). В данном сверхшироком диапазоне (8 декад) к компонентной базе и схемотехническим принципам построения аппаратуры базовой станции предъявляются самые разнообразные, часто противоречивые требования, что делает весьма привлекательным для упрощения схем узлов широкое использование в них рассмотренных выше принципов сверхвысокочастотной оптоэлектроники, основанных на прямом взаимодействии СВЧ и оптического излучений, и гибридных оптоэлектронных интегральных схем [2, 3].

  1. Niiho T., Nakaso M., Masuda K., e.a. Transmission performance of multichannel wireless LAN system based on radio-over-fiber techniques. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2006, MTT-54, № 2, part 2, p. 980-989.
  2. Sauer M., Kobyakov A., George J. Radio Over Fiber for Picocellular Network Architectures. IEEE Journal of Lightwave Technologies, 2007, vol. 25, no. 11, pp. 3301-3320.
  3. Belkin, M.E. Belkin, «Cost-Effective Millimeter Wave-to-Optical Conversion with Patch Antenna and MMIC Chipset for RoF’s Uplink,» 18th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications MIKON-2010, — Vilnius, Lithuania, v. 1, p. 369-372, June 2010.
5. Компонентная база и аппаратура линейного тракта сверхскоростных волоконно-оптических систем.Как уже отмечалось, оптические интегральные схемы (ОИС) находят ограниченное использование в современных волоконно-оптических системах передачи (ВОСП). Так анализ показывает, что наиболее распространенной областью их применения являются электрооптические модуляторы и переключатели, которые к тому же, как плавило, выполняются на подложке из ниобата лития. Важная причина, на наш взгляд, заключается в схемотехнической неразвитости наиболее широко распространенных в настоящее время одноволновых ВОСП, в которых немногочисленные оптические интерфейсы в аппаратуре более эффективно реализуются на базе оптических волокон с меньшими потерями, а также в очень низкой достигнутой степени интеграции, например, по сравнению с микросхемами радиочастотного диапазона.

Однако благодаря продолжающему развитию технологий ВОСП в последнее десятилетие появились предпосылки для их более широкого внедрения. А именно, в соответствии с постоянно растущими потребностями общества в повышении пропускной способности телекоммуникационных сетей, в особенности, локальных распределительных сетей различного назначения, требуемая скорость передачи информации увеличилась до 100 и более Гбит/с. Для реализации ВОСП для таких сетей в связи с ограничением полосы прямой модуляции современного полупроводникового лазера на уровне 10-15 ГГц были разработаны многоволновые ВОСП с так называемым плотным спектральным разделением каналов (DWDM, СРК), в которых число оптических несущих достигает десятков, а в перспективе и сотен. Данный способ повышения пропускной способности линии передачи является аналогом широко известного в радиосвязи, так называемого, частотного разделения каналов, поэтому принципы и схемы объединения оптических каналов на передающем конце и последующего разделения их на приемном конце, построенные на базе пассивных разветвителей, были полностью заимствованы. Понятно, что в таких системах для уменьшения габаритов приемо-передающего оборудования и повышения их экономических характеристик необходима широкая интегрализация компонентной базы и узлов.

В настоящее время за рубежом освоены в промышленности передающие и приемные оптоэлектронные модули на скорости до 10 Гбит/с. На их базе рядом фирм разработана аппаратура ВОСП с СРК на скорости до 40 Гбит/с (4х10 Гбит/с). Однако дальнейшее увеличение пропускной способности систем передачи приводит к чрезмерному усложнению и удорожанию аппаратуры линейного тракта.

Описанные выше тенденции привели к интенсивному поиску путей повышения степени интеграции существующих ОИС, который осуществляется, как в направлении создания более миниатюрных сред транспортировки оптических сигналов, так и перехода к практической реализации, так называемых, активных оптоэлектронных интегральных схем (ОЭИС), объединяющих на одной подложке сверхскоростные электронные, оптоэлектронные и оптические узлы аппаратуры. Параметры компонентной базы и устройств линейного тракта должны соответствовать требованиям разрабатываемых с настоящее время телекоммуникационных стандартов, основные из которых приведены в табл. 1.

Таблица 1. Разрабатываемые стандарты для локальных сверхскоростных телекоммуникационных сетей

Наименование Технология Скорость в одном оптическом канале, Гбит/с
Сети хранения данных (SAN) Fibre Channel 16
32
Локальные распределительные сети (LAN) Ethernet 40
100 (5х20 Гбит/с, 4х25 Гбит/с)
Связь между высокопроизводительными ЭВМ Infiniband 20
Компьютерные и пользовательские интерфейсы USB 3.0 25
USB 4.0 60
PCI Express 16; 32
HDMI 1.4 21
Top